Транзисторы с каналом P SMD NTE4151PT1G

PFETSC88760MA20VTR

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
NTE4151PT1G
Производитель:
ONS
Документация язык en
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Тип транзистора P-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток -20В
Ток стока -0.76А
Мощность 313мВт
Корпус SC89
Напряжение затвор-исток ±6В
Сопротивление в открытом состоянии 1Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина, лента
Заряд затвора 2,1

Описание

  • Масса брутто: 0.1 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.