Транзисторы с каналом P SMD SI2325DS-T1-GE3

P-ChMOSFETSOT-23150V1.2ohms@10V

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
SI2325DS-T1-GE3
Производитель:
VI1
Документация язык en
Производитель VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток -150В
Ток стока -0.43А
Мощность 0.48Вт
Корпус SOT23
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 1.3Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина, лента
Заряд затвора 7,7

Описание

  • Масса брутто: 0.01 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.