ИС управления транзисторами TPS2811DR

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
TPS2811DR
Производитель:
Texas Instruments
Документ
Current - peak output (source, sink) 2A, 2A
Driven configuration Low-Side
Gate type N-Channel, P-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) -
Input type Inverting
Logic voltage - vil, vih 1V, 4V
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 2
Operating temperature -40°C ~ 125°C (TA)
Package / case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Cut Tape (CT)
Part status Active
Rise / fall time (typ) 14ns, 15ns
Supplier device package 8-SOIC
Voltage - supply 4 V ~ 14 V
Производитель Texas Instruments

Описание

IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC