Производитель	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип транзистора	N-MOSFET
Полярность	полевой
Напряжение сток-исток	20В
Ток стока	3.9А
Мощность	1.5Вт
Корпус	SOT23
Напряжение затвор-исток	±8В
Сопротивление в открытом состоянии	95мОм
Монтаж	SMD
Заряд затвора	7,8

Описание

Масса брутто: 0.06 g

Изделия, требующие защиты от влаги, упаковываются в герметично запаянные мешки из пленки MBB (Moisture Barrier Bag) вместе с влагопоглотителем и датчиком влажности. На мешок наклеивается этикетка с обозначенным уровнем MSL (Moisture Sensitivity Level) и инструкция по обращению с элементами, чувствительными к влаге. Светодиоды мощности в корпусах COB упаковываются на лотки или блистеры, которые предотвращают соприкосновение чувствительного слоя поверхности диода с упаковкой.