Транзисторы с каналом N THT ST MICROELECTRONICS STD3NK80Z-1

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,57А; 70Вт; I2PAK

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
ST MICROELECTRONICS STD3NK80Z-1
Производитель:
ST MICROELECTRONICS
Документация язык en
Производитель ST MICROELECTRONICS
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 800В
Ток стока 1.57А
Мощность 70Вт
Корпус I2PAK
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 4500мОм
Монтаж THT
Технология SuperMesh™
Вид упаковки туба
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate

Описание

  • Масса брутто: 0.41 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.