Транзисторы с каналом N THT ST MICROELECTRONICS SCT20N120

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; 175Вт; HIP247™

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
ST MICROELECTRONICS SCT20N120
Производитель:
ST MICROELECTRONICS
Документация язык en
Производитель ST MICROELECTRONICS
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 1.2кВ
Ток стока 16А
Мощность 175Вт
Корпус HIP247™
Напряжение затвор-исток -10...25В
Сопротивление в открытом состоянии 220мОм
Монтаж THT
Технология SiC, SiCFET
Вид упаковки туба
Заряд затвора 45

Описание

  • Масса брутто: 4.39 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.