Транзисторы с каналом N THT ST MICROELECTRONICS SCT20N120
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; 175Вт; HIP247™
![ST MICROELECTRONICS SCT20N120](files/121/959/5f/517984.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | ST MICROELECTRONICS |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 1.2кВ |
Ток стока | 16А |
Мощность | 175Вт |
Корпус | HIP247™ |
Напряжение затвор-исток | -10...25В |
Сопротивление в открытом состоянии | 220мОм |
Монтаж | THT |
Технология | SiC, SiCFET |
Вид упаковки | туба |
Заряд затвора | 45 |
Описание
- Масса брутто: 4.39 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.