ИС управления транзисторами SI9910DY-T1-E3

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
SI9910DY-T1-E3
Производитель:
Vishay Siliconix
Документ
Current - peak output (source, sink) 1A, 1A
Driven configuration High-Side
Gate type N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 500V
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih -
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 1
Operating temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Digi-Reel®
Part status Obsolete
Rise / fall time (typ) 50ns, 35ns
Supplier device package 8-SOIC
Voltage - supply 10.8 V ~ 16.5 V
Производитель Vishay Siliconix

Описание

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC