Транзисторы с каналом N THT RENESAS 2SK1317-E
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 100Вт; TO3P
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK1317-E | Транзисторы и сборки MOSFET | RENESAS | 1 242 шт. | 7 дней | 1 |
13.2839 от 1 шт. 12.5848 от 5 шт. 11.9855 от 15 шт. 11.5860 от 28 шт. |
|
| 2SK1317-E | 2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | RENESAS | 400 шт | 14 дней | 1 |
49.4122 от 1 шт. 44.1180 от 7 шт. |
| Производитель | RENESAS |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 1500В |
| Ток стока | 2.5А |
| Мощность | 100Вт |
| Корпус | TO3P |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 9Ом |
| Монтаж | THT |
| Вид упаковки | туба |
Описание
- Масса брутто: 4.96 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
