Главная страница
Распечатать

Радиокомпоненты по запросу

ПлиткойСтроками
Кол-во на странице:
 
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
YJ
615077562
 
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060] = SFG10S2
YJ
615077563
 
YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)
YJ
615077564
 
YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP
YJ
615077565
в наличии
 
YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060
YJ
615077566
 
YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]
YJ
615077567
 
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF
YJ
615077568
 
YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А = IRLML2803TRPBF
YJ
615077569
 
YJL2304B, транзистор 30В 4А 36мОм SOT23
YJ
615077570
 
YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF
YJ
615077571
в наличии
 
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U
YJ
615077572
в наличии
 
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25
YJ
615077573
 
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346
YJ
615077574
в наличии
 
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]
YJ
615077575
в наличии
 
YJQ40G10A, транзистор 100B 40A 43Вт DFN3333-8L
YJ
615077576
в наличии
 
YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)
YJ
615077577
 
YJS12G10A, транзистор 100B 12A 3.1Вт SOP-8 (=IRF7853TRPBF)
YJ
615077578
 
YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)
YJ
615077579
в наличии
 
198НТ7А, (1990-91г)
РОССИЯ
615077580
в наличии
 
198НТ7А, (1992-99г)
ВЕНТА
615077581
в наличии
 
ULN2003ADR, матрица из 7 транзисторов, драйвер на 7 каналов SO16
TI
615077582
 
ULN2003AFWG, драйвер-расширитель на 7 каналов SO16
TOSHIBA
615077583
 
ULN2003APG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
TOSHIBA
615077584
в наличии
 
ULN2003D1013TR, матрица транзисторов NPN 50В 0.5A SO16
STM
615077585
 
ULN2004AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, DIP16
TI
615077586
в наличии
 
ULN2802A, матрица из восьми транзисторов Дарлингтона 500мА 50В PDIP-18
STM
615077587
в наличии
 
ULN2803A, [SOP-18]
=ULN2003A(ON)
615077588
 
ULN2803A, матрица из восьми транзисторов NPN 500мА 50В DIP-18
STM
615077589
в наличии
 
ULN2803ADWR, 18-SOIC
TI
615077590
в наличии
 
ULN2803AFWG, драйвер расширитель SO18
TOSHIBA
615077591
 
ULN2803APG, PDIP18
TOSHIBA
615077592
 
BFP540H6327XTSA1, SOT-343
INFINEON
615077593
в наличии
 
BFU530AR, SOT-23 (TO-236AB)
NEX-NXP
615077594
 
BFU550AR, SOT-23 (TO-236AB)
NEX-NXP
615077595
в наличии
 
MGF0918A-03, GaAs FET полевой транзистор , материал - арсенид галия, центральная частота рабочего д
MITSUBISHI
615077596
в наличии
 
MGF0920A-03, GaAs FET 1.9GHz 8.3W 30dBm GF-50
MITSUBISHI
615077597
в наличии
 
MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17, СВЧ тразистор
MITSUBISHI
615077598
в наличии
 
MGFC36V5258-51, свч транзистор GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8
MITSUBISHI
615077599
в наличии
 
DG20X06T2, IGBT - Транзистор, 600V, 42A
STARPOWER
615077600
в наличии
 
DG25X12T2, IGBT - Транзистор, 1200V, 50A
STARPOWER
615077601
в наличии
 
DG75X12T2, IGBT - Транзистор, 1200V, 75A
STARPOWER
615077602
в наличии
 
DGP10N60CTL, IGBT дискрет, 600B, 10A, 110Вт (TO-220)
YJ
615077603
в наличии
 
FGH40N60SMD, IGBT транзистор 600В, 80А, 290Вт TO-247
FAIR/ONS
615077604
в наличии
 
FGH40N60UFDTU, IGBT транзистор TO247
ONS
615077605
в наличии
 
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600В, 20A TO-220
ONS
615077606
 
HGTG11N120CND, TO-247
ONS
615077607
в наличии
 
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
INFINEON
615077608
в наличии
 
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247
INFINEON
615077609
в наличии