Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами NCV84160DR2G
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Current - peak output (source, sink) | - |
| Driven configuration | High-Side |
| Gate type | IGBT |
| High side voltage - max (bootstrap) | - |
| Input type | CMOS |
| Logic voltage - vil, vih | 0.9V, 2.1V |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 1 |
| Operating temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | - |
| Part status | Active |
| Rise / fall time (typ) | - |
| Supplier device package | 8-SOIC |
| Voltage - supply | 4.5 V ~ 28 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
Описание
160MOHM SMARTFET
