Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами NCP81075DR2G
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Current - peak output (source, sink) | 4A, 4A |
| Driven configuration | High-Side or Low-Side |
| Gate type | N-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | 200V |
| Input type | Non-Inverting |
| Logic voltage - vil, vih | 0.8V, 2.7V |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 2 |
| Operating temperature | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| Package / case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part status | Active |
| Rise / fall time (typ) | 8ns, 7ns |
| Supplier device package | 8-SOIC |
| Voltage - supply | 8.5 V ~ 20 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
Описание
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
