ИС управления транзисторами NCP5359ADR2G

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
NCP5359ADR2G
Производитель:
ON Semiconductor
Документ
Current - peak output (source, sink) -
Driven configuration Half-Bridge
Gate type N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 30V
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih 1V, 2V
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 2
Operating temperature 0°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part status Obsolete
Rise / fall time (typ) 16ns, 15ns
Supplier device package 8-SOIC
Voltage - supply 10 V ~ 13.2 V
Производитель ON Semiconductor

Описание

IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC