ИС управления транзисторами NCD5703BDR2G

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
NCD5703BDR2G
Производитель:
ON Semiconductor
Документ
Current - peak output (source, sink) 7.8A, 6.8A
Driven configuration Half-Bridge
Gate type IGBT
High side voltage - max (bootstrap) -
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih 0.75V, 4.3V
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 1
Operating temperature -40°C ~ 125°C (TA)
Package / case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part status Active
Rise / fall time (typ) 9.2ns, 7.9ns
Supplier device package 8-SOIC
Voltage - supply 20V
Производитель ON Semiconductor

Описание

METAL SPIN OF NCD5703B. H