Производитель	MICROSEMI
Тип транзистора	N-MOSFET
Полярность	полевой
Напряжение сток-исток	500В
Ток стока	26А
Мощность	300Вт
Корпус	TO247
Напряжение затвор-исток	±30В
Сопротивление в открытом состоянии	200мОм
Монтаж	THT
Технология	POWER MOS V®
Вид упаковки	туба
Заряд затвора	225

Описание

Масса брутто: 6.1 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.