Транзисторные модули MOSFET IXYS IXTN32P60P

Модуль; одиночный транзистор; Uds: -600В; Id: -32А; SOT227B; 890Вт

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IXYS IXTN32P60P
Производитель:
IXYS
Документация язык en
Производитель IXYS
Тип модуля транзисторный
Конструкция диода одиночный транзистор
Напряжение сток-исток -600В
Ток стока -32А
Корпус SOT227B
Мощность 890Вт
Импульсный ток -128А
Напряжение затвор-исток ±20В
Монтаж винтами
Электрический монтаж винтами
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 350
Рабочая температура -55...150°C

Описание

  • Масса брутто: 0.04 kg

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.