Транзисторные модули MOSFET IXYS IXTN210P10T

Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -210А; SOT227B; 830Вт

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IXYS IXTN210P10T
Производитель:
IXYS
Документация язык en
Производитель IXYS
Тип модуля транзисторный
Конструкция диода одиночный транзистор
Напряжение сток-исток -100В
Ток стока -210А
Корпус SOT227B
Мощность 830Вт
Импульсный ток -840А
Напряжение затвор-исток ±15В
Монтаж винтами
Электрический монтаж винтами
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 7,5
Рабочая температура -55...150°C

Описание

  • Масса брутто: 0.04 kg