Транзисторные модули MOSFET IXYS IXFN50N120SIC

Модуль; одиночный транзистор; Uds:1,2кВ; 35А; SOT227B; Ugs: ±20В

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IXYS IXFN50N120SIC
Производитель:
IXYS
Документация язык en
Производитель IXYS
Тип модуля транзисторный
Конструкция диода одиночный транзистор
Напряжение сток-исток 1.2кВ
Ток стока 35А
Корпус SOT227B
Напряжение затвор-исток ±20В
Монтаж винтами
Электрический монтаж винтами
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 50
Технология HiPerFET™
Рабочая температура -40...150°C

Описание

  • Масса брутто: 0.04 kg

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.