Модули IGBT IXYS IXDN75N120

Urmax:1,2кВ; Ic:150А; P:660Вт; SOT227B; винтами; винтами

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IXYS IXDN75N120
Производитель:
IXYS
Производитель IXYS
Тип модуля IGBT
Конструкция диода транзистор/транзистор
Обратное напряжение макс. 1.2кВ
Ток коллектора 150
Мощность 660Вт
Корпус SOT227B
Электрический монтаж винтами
Монтаж винтами
Рабочая температура -40...125°C

Описание

  • Масса брутто: 0.03 kg

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.