Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами IXDI602SIA
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
IXDI602SIA
Производитель:
IXYS Integrated Circuits Division
Документ
| Current - peak output (source, sink) | 2A, 2A |
| Driven configuration | Low-Side |
| Gate type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | - |
| Input type | Inverting |
| Logic voltage - vil, vih | 0.8V, 3V |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 2 |
| Operating temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tube |
| Part status | Active |
| Rise / fall time (typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| Supplier device package | 8-SOIC |
| Voltage - supply | 4.5 V ~ 35 V |
| Производитель | IXYS Integrated Circuits Division |
Описание
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
