Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами IRS2117PBF
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Current - peak output (source, sink) | 290mA, 600mA |
| Driven configuration | High-Side |
| Gate type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | 600V |
| Input type | Non-Inverting |
| Logic voltage - vil, vih | 6V, 9.5V |
| Mounting type | Through Hole |
| Number of drivers | 1 |
| Operating temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Packaging | Tube |
| Part status | Active |
| Rise / fall time (typ) | 75ns, 35ns |
| Supplier device package | 8-PDIP |
| Voltage - supply | 10 V ~ 20 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
Описание
IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP
