ИС управления транзисторами IR2113STRPBF

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IR2113STRPBF
Производитель:
Infineon Technologies
Документ
Current - peak output (source, sink) 2A, 2A
Driven configuration Half-Bridge
Gate type IGBT, N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 600V
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih 6V, 9.5V
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 2
Operating temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging Cut Tape (CT)
Part status Active
Rise / fall time (typ) 25ns, 17ns
Supplier device package 16-SOIC
Voltage - supply 3.3 V ~ 20 V
Производитель Infineon Technologies

Описание

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC