ИС управления транзисторами IR2112PBF

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IR2112PBF
Производитель:
Infineon Technologies
Документ
Current - peak output (source, sink) 250mA, 500mA
Driven configuration Half-Bridge
Gate type IGBT, N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 600V
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih 6V, 9.5V
Mounting type Through Hole
Number of drivers 2
Operating temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging Tube
Part status Active
Rise / fall time (typ) 80ns, 40ns
Supplier device package 14-DIP
Voltage - supply 10 V ~ 20 V
Производитель Infineon Technologies

Описание

IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP