ИС управления транзисторами IR2011PBF

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IR2011PBF
Производитель:
Infineon Technologies
Документ
Current - peak output (source, sink) 1A, 1A
Driven configuration Half-Bridge
Gate type N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 200V
Input type Inverting
Logic voltage - vil, vih 0.7V, 2.2V
Mounting type Through Hole
Number of drivers 2
Operating temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging Tube
Part status Active
Rise / fall time (typ) 35ns, 20ns
Supplier device package 8-PDIP
Voltage - supply 10 V ~ 20 V
Производитель Infineon Technologies

Описание

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP