Транзисторы многоканальные INFINEON (IRF) IRF7303TRPBF

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 4,9А; 2Вт; SO8

Информация о продукте
Обозначение производителя:
INFINEON (IRF) IRF7303TRPBF
Производитель:
INFINEON (IRF)
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (бел.руб.) Заказать
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF, транзистор 2N канал 30В 5.3А SO8 Infineon 4 500 шт 14 дней 1

1.2804 от 1 шт.

1.1204 от 14 шт.

1.0004 от 270 шт.

IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8 Infineon 290 шт 14 дней 1

4.1818 от 1 шт.

3.6590 от 5 шт.

3.2670 от 83 шт.

IRF7303TRPBF Транзисторы и сборки MOSFET VBSEMI 5 524 шт. 7 дней 1

0.8524 от 1 шт.

0.8075 от 71 шт.

0.7691 от 226 шт.

0.7434 от 428 шт.

Производитель Infineon (IRF)
Тип транзистора N-MOSFET x2
Технология HEXFET®
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 30В
Ток стока 4.9А
Мощность 2Вт
Корпус SO8
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина

Описание

  • Масса брутто: 0.43 g

Изделия, требующие защиты от влаги, упаковываются в герметично запаянные мешки из пленки MBB (Moisture Barrier Bag) вместе с влагопоглотителем и датчиком влажности. На мешок наклеивается этикетка с обозначенным уровнем MSL (Moisture Sensitivity Level) и инструкция по обращению с элементами, чувствительными к влаге. Светодиоды мощности в корпусах COB упаковываются на лотки или блистеры, которые предотвращают соприкосновение чувствительного слоя поверхности диода с упаковкой.