Транзисторы с каналом N THT INFINEON (IRF) IRF640NLPBF

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 18А; 150Вт; TO262

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
INFINEON (IRF) IRF640NLPBF
Производитель:
INFINEON (IRF)
Документация язык en
Производитель Infineon (IRF)
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 200В
Ток стока 18А
Мощность 150Вт
Корпус TO262
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 150мОм
Монтаж THT
Технология HEXFET®
Заряд затвора 44,7

Описание

  • Масса брутто: 1.57 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.