Транзисторы с каналом P SMD INFINEON (IRF) IRF5803D2TRPBF

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,4А; 2Вт; SO8

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
INFINEON (IRF) IRF5803D2TRPBF
Производитель:
INFINEON (IRF)
Документация язык en
Производитель Infineon (IRF)
Тип транзистора P-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток -40В
Ток стока -3.4А
Мощность 2Вт
Корпус SO8
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина
Технология HEXFET®

Описание

  • Масса брутто: 0.43 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.