Главная страница > Полупроводники > Микросхемы > Преобразователи питания > ИС управления транзисторами
РаспечататьИС управления транзисторами HIP6601BECBZ
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
HIP6601BECBZ
Производитель:
Renesas Electronics America Inc.
Документ
| Current - peak output (source, sink) | - |
| Driven configuration | Half-Bridge |
| Gate type | N-Channel MOSFET |
| High side voltage - max (bootstrap) | 15V |
| Input type | Non-Inverting |
| Logic voltage - vil, vih | - |
| Mounting type | Surface Mount |
| Number of drivers | 2 |
| Operating temperature | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Packaging | Tube |
| Part status | Obsolete |
| Rise / fall time (typ) | 20ns, 20ns |
| Supplier device package | 8-SOIC-EP |
| Voltage - supply | 10.8 V ~ 13.2 V |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc. |
Описание
IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
