ИС управления транзисторами HIP2106AIRZ

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
HIP2106AIRZ
Производитель:
Renesas Electronics America Inc.
Документ
Current - peak output (source, sink) -, 4A
Driven configuration Half-Bridge
Gate type N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) -
Input type -
Logic voltage - vil, vih 1.3V, 1.9V
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 2
Operating temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Package / case 10-VFDFN Exposed Pad
Packaging Tube
Part status Active
Rise / fall time (typ) -
Supplier device package 10-DFN (3x3)
Voltage - supply 4.5 V ~ 5.5 V
Производитель Renesas Electronics America Inc.

Описание

SYNCH RECT BUCK MOSFET