ИС управления транзисторами DGD2190MS8-13

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
DGD2190MS8-13
Производитель:
Diodes Incorporated
Документ
Current - peak output (source, sink) 4.5A, 4.5A
Driven configuration Half-Bridge
Gate type IGBT, N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 600V
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih 0.8V, 2.5V
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 2
Operating temperature -40°C ~ 125°C (TA)
Package / case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part status Active
Rise / fall time (typ) 25ns, 20ns
Supplier device package 8-SO
Voltage - supply 10 V ~ 20 V
Производитель Diodes Incorporated

Описание

HV GATE DRIVER SO-8 T&R 2.5K