ИС управления транзисторами DGD2104AS8-13

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
DGD2104AS8-13
Производитель:
Diodes Incorporated
Документ
Current - peak output (source, sink) 210mA, 360mA
Driven configuration Half-Bridge
Gate type IGBT, N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 600V
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih 0.8V, 2.5V
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 2
Operating temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Digi-Reel®
Part status Obsolete
Rise / fall time (typ) 100ns, 50ns
Supplier device package 8-SO
Voltage - supply 10 V ~ 20 V
Производитель Diodes Incorporated

Описание

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO