ИС управления транзисторами BD6563FV-LBE2

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
BD6563FV-LBE2
Производитель:
Rohm Semiconductor
Документ
Current - peak output (source, sink) 600mA, 600mA
Driven configuration Low-Side
Gate type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) -
Input type Non-Inverting
Logic voltage - vil, vih -
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 3
Operating temperature -25°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging Cut Tape (CT)
Part status Obsolete
Rise / fall time (typ) -
Supplier device package 16-SSOPB
Voltage - supply 10 V ~ 25 V
Производитель Rohm Semiconductor

Описание

IC DVR IGBT/MOSFET 3CH 16SSOP