ИС управления транзисторами AUIRS20161S

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
AUIRS20161S
Производитель:
Infineon Technologies
Документ
Current - peak output (source, sink) 500mA, 500mA
Driven configuration High-Side
Gate type IGBT, N-Channel MOSFET
High side voltage - max (bootstrap) 150V
Input type Inverting
Logic voltage - vil, vih -
Mounting type Surface Mount
Number of drivers 1
Operating temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Tube
Part status Obsolete
Rise / fall time (typ) 200ns, 200ns
Supplier device package 8-SOIC
Voltage - supply 4.4 V ~ 6.5 V
Производитель Infineon Technologies

Описание

IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC