Производитель	IXYS
Тип транзистора	N-MOSFET
Полярность	полевой
Напряжение сток-исток	150В
Ток стока	96А
Мощность	480Вт
Корпус	TO268
Напряжение затвор-исток	±20В
Сопротивление в открытом состоянии	24мОм
Монтаж	SMD

Описание

Масса брутто: 3 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.