Транзисторные модули MOSFET IXYS IXTN170P10P

Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -170А; SOT227B; 890Вт

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IXYS IXTN170P10P
Производитель:
IXYS
Документация язык en
Производитель IXYS
Тип модуля транзисторный
Конструкция диода одиночный транзистор
Напряжение сток-исток -100В
Ток стока -170А
Корпус SOT227B
Мощность 890Вт
Импульсный ток -680А
Напряжение затвор-исток ±20В
Монтаж винтами
Электрический монтаж винтами
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 14
Рабочая температура -55...150°C

Описание

  • Масса брутто: 0.03 kg