Транзисторные модули MOSFET IXYS IXFN100N50P

Модуль; одиночный транзистор; Uds:500В; Id:75А; SOT227B; 1,04кВт

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IXYS IXFN100N50P
Производитель:
IXYS
Документация язык en
Производитель IXYS
Тип модуля транзисторный
Конструкция диода одиночный транзистор
Напряжение сток-исток 500В
Ток стока 75А
Корпус SOT227B
Мощность 1.04кВт
Импульсный ток 250А
Напряжение затвор-исток ±30В
Монтаж винтами
Электрический монтаж винтами
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 49
Технология HiPerFET™
Рабочая температура -55...150°C

Описание

  • Масса брутто: 0.04 kg

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.